1. 组织致死电场阈值 (Eth) 动态计算

根据组织特异性的绝对基准阈值 (Base Eth)，结合脉宽与次数衰减推算。

2. 三维圆柱体线电荷静电场分布 (E_lap)

通过引入 Z 轴坐标并计算空间中任一点到具有特定工作长度 (L_active) 探针线段的欧氏距离，拓展了原本仅适用于中截面的拉普拉斯偏微分方程，实现纵向 (X-Z) 维度的精准场强投射。

3. 导电率-表观阈值耦合 (K_cond)

以组织基准电导率为参照，使用饱和对数响应模拟细胞外介质导电改善后，细胞膜承受有效电压比例上升、表观致死阈值下降的现象；低电导率只作适度阈值上调，不再产生绝缘体外扩。

4. X-Y 切面平滑重构与 Z 轴自然褪散 (Z-Fade)

X-Y平面的塑造交由 4 次方超高斯执行以撑起花生形。但在纵截面 (X-Z) 仿真中，当超越工作长度时，引入指数衰减 `dz_fade` 将横向补偿平滑褪去，把形态交还给物理拉普拉斯原生场，以切断顶部的生硬平坦。

5. Z 轴向专属内凹衰减 (Concave Z-Decay)

为还原上下两端的真实物理“内凹”形变，Z轴阻力不再是常数，而是变为 X 的函数：在两针中央衰减剧烈（形成内凹陷），在针尖正上方衰减缓慢（维持高度），最终在纵截面上塑造出完美的苹果/哑铃状消融球体。